Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
Abstract - A new cost-effective concept for RF-LDMOS transistors in a standard 0.13 mum CMOS technology without process modifications is demonstrated. For the integration of the devices only standard implants of the RF-CMOS process are used. The devices have gate length of 0.35 mum and share the 7 nm gate oxide of the 3.3 V CMOS I/O devices. A breakdown voltage of 19 V and fT/fMAX values of 25 GHz/55...
This paper proposes a cost-effective RF power cell manufactured in an advanced 0.13 um CMOS technology. Without adding additional masks, cost, and process, the power performance can be improved just by using the standard N-well and shallow-trench-isolation processes to form a higher resistive region. This ldquoPseudo-Drainrdquo structure increases the breakdown voltage to more than 4.3V and is higher...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.