Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
This work reports on a 600 V GaN-on-Si power transistor with monolithic integrated gate driver. The circuit is based on Schottky-gate depletion-mode technology and fabricated on a 2×3 mm2 chip. The push-pull gate driver stage implements a quasi-normally-off pull-up transistor, fabricated with monolithic integrated series-connected Schottky diodes for positive voltage-level shifting in the source path...
AlGaN/GaN HEMTs show low on-state resistance and small gate capacitances, which makes them good candidates for switching applications. Up to now, their exploitations in dc/dc converters have been largely investigated in high power electronics but with switching frequencies under 1 MHz. In this brief, the potentialities of GaN HEMTs are investigated for high-speed dc/dc converters. To this aim, a 10-MHz...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.