Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
The dc performances of proton irradiated silicon-germanium (SiGe) power heterojunction bipolar transistors (HBTs) at cryogenic temperature are reported in this work. Large emitter area high-power SiGe HBTs fabricated in a commercial BiCMOS process were irradiated with proton, at different fluences from 1×1012 p/cm2 to 5×1013 p/cm2. We show that proton radiated SiGe power HBTs are naturally suitable...
We present in this paper, a study of Dc, RF and Noise characteristics of an industrial metamorphic HEMT (High Electron Mobility Transistor) operating under low voltage at cryogenic temperature. The results at 300K are compared with the obtained results at cryogenic temperature. Temperature decrease makes device characteristics improve. This improvements allow to expect to develop a low power cryogenic...
The DC properties of 110-nm gate-length InAs/AlSb-based HEMTs at cryogenic (30 K) and room temperature (300 K) have been investigated. Compared to 300K, devices at 30 K exhibited lower on-resistance (RON) and output conductance (gDS), a higher transconductance (gm) and a more distinct knee in the IDS(VDS) characteristics. The improvement in the DC performance at cryogenic temperature should mainly...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.