Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
Negative Bias Temperature Instability and Channel Hot Career degrades the life time of both the analog and digital circuits significantly and should be a major concern in nanoscale regime. These problems are usually addressed by leaving large design margins (called overdesign) or employing complicated calibration algorithm both of which result in larger area as well as excessive power consumption...
Along with decrement in size of nanoelectronic devices, they are more prone to the effects of transient faults. Therefore, investigating the effects of such faults is of great importance. Due to high count of transistors in nanoelectronic devices, performing simulation by HSPICE is a time consuming process. Hence, several mathematical models have been proposed. However, our proposed model is simple...
Graphene nanoribbon FETs (GNRFETs) have emerged as a promising candidate for nanoelectronics applications. This paper summarizes (i) current understanding and prospects for GNRFETs as ultimately scaled, ideal ballistic transistors, (ii) physics-based modeling of GNRFETs to support circuit design and CAD, and (iii) variability and defects in GNRs and their impact on GNRFET circuit performance and reliability.
The dramatic increase in leakage current, coupled with the swell in process variability in nano-scaled CMOS technologies, has become a major issue for future IC design. Moreover, due to the spread of leakage power values, leakage variability cannot be neglected anymore. In this work an accurate analytic estimation and modeling methodology has been developed for logic gates leakage under statistical...
Novel 3D stacked gate-all-around multichannel CMOS architectures were developed to propose low leakage solutions and new design opportunities for sub-32 nm nodes. Those architectures offer specific advantages compared to other planar or non planar CMOS devices. In particular, ultra-low IOFF (< 20 pA/mum) and high ION (> 2.2 mA/mum) were demonstrated. Moreover, those transistors do not suffer...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.