Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
Bias dependence of the tunnel magnetoresistance in simple planar ferromagnetic junctions is considered theoretically within the one-band model. The limit of sequential tunnelling in double junctions with a non-magnetic central electrode is studied as well. In this case tunnel magnetoresistance exists only when the spin relaxation time due to spin-flip scattering processes inside the central electrode...
Electron tunneling between two ferromagnetic electrodes across an insulating barrier is analysed theoretically and experimentally. The barrier is either uniform or it includes a layer of small magnetic metallic particles. Particular attention is paid to the origin of the tunneling magnetoresistance and its bias dependence, as well as to the effects due to Coulomb blockade.
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.