Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
In this paper, a comprehensive evaluation work on 1.7 kV SiC Super Junction Transistor (SJT) power module and 1.7 kV SiC MOSFET power modules is presented. Both device static and dynamic performance is extracted and compared at wide device current range and temperature range. The data presented in this paper can be used as input for medium voltage power conversion system power transistor selection,...
In this paper, we present a comprehensive evaluation of the latest 600 V class Gallium Nitride based Gate Injection Transistor (GaN-GIT) for high temperature and high efficiency applications. In this study, the Panasonic GITs are used as the reference for latest GaN-GIT technology. Static and dynamic testing was performed on the two GaN-GIT versions to extract critical static parameters and switching...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.