Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
It has been demonstrated that the introduction of HfO2/ TiN gate stacks into CMOS technologies provides the means to continue with traditional device gate length scaling. However, the introduction of HfO2 as a new gate dielectric and TiN as a metallic gate electrode into the gate stack of FETs brings about new challenges for understanding reliability physics and qualification. This contribution summarizes...
Bias temperature instability has attracted a lot of attention as a dominant degradation mechanism in modern MOS transistors. Despite considerable effort, the exact physics behind this mechanisms are still controversial. We discuss some numerical aspects of our recently presented model which is capable of reproducing the main features of the phenomenon. Furthermore, we demonstrate how the model can...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.