Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
Si quantum dots (QD) embedded into Gd2O3 and Si quantum wells (QW) with epitaxial Gd2O3 as the barrier layers were grown on Si substrates. With decreasing dot size down to the 2-nm range, the optical absorption exhibits a spectacular shift in spectral threshold upto 2.9plusmn0.1 eV, as compared to the 1.12 eV absorption edge of the bulk Si crystal. Such shift suggests a significant influence of quantum...
Epitaxial growth of beryllium telluride BeTe and Zn0.06Be0.94Te by MBE on silicon was investigated as an approach towards multijunction solar cells. The good crystal properties, optical transparency, thermal stability and high p-type doping levels are positive attributes for a buffer layer for further growth of top solar cell junctions. AlGaAs-GaAs quantum well junctions were grown with close lattice...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.