Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
Highly phosphorous doped epitaxial emitters grown using low-temperature PECVD (LT-PECVD) process have been investigated after subjecting them to different rapid thermal processing (RTP) treatments. Cross-sectional High Resolution Transmission Electron Microscopy (HRTEM) was used to analyze the interface quality and the changes in the atomic arrangement due to the different RTP treatments. Three different...
Homoepitaxial growth of unintentional doped, nitrogen (N) doped n-type, and boron (B) doped p-type 4H-SiC epilayers on off-oriented n-type and semi-insulating Si-face (0001) substrates was performed in a horizontal hot-wall chemical vapor deposition (HW-CVD) reactor with SiH 4 and C2H4 at temperature of 1500 degC and pressure of 40 Torr. The electrical and structural properties, and intentional in-situ...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.