Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
The electronic structure of transition metal (TM = V, Cr, Mn, Fe) doped aluminium nitride was presented. The calculations were made within the DFT and DFT+U approach and the supercell approximation. The effective interaction parameter Hubbard U for mentioned compounds was determined within linear response approach in contrast to the other type of calculations which treated this factor as an adjustable...
The electronic structure of transition metal (TM) doped aluminium nitride was presented. The calculations were made within density functional theory and supercell approximation. It was found that the ferromagnetic ground states were possible without additional dopants in V-, Cr-, Mn-doped AlN.
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.