Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
The properties of tantalum nitride thin films sputter deposited with and without breaks on pure and oxidized silicon wafers were investigated with respect to their potential use as strain gauges in micromachined sensors for harsh environmental applications. The thin films were deposited using direct current magnetron sputtering at a constant back pressure and plasma power. To lower the deposition...
The influence of nitrogen partial pressure (P N2 ) and argon partial pressure (P Ar ) on internal stress, crystallographic structure, and resistivity have been investigated for reactively sputtered Ti-N films in order to get some insight into the influence of deposition parameters. Ti-N films were deposited onto glass substrates by r.f. reactive magnetron sputtering using a plasma...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.