Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
While the CMOS analog circuits can be designed with the minimum-gate-length of the fabrication process in the alpha-power law MOSFET model, the length of a MOSFET gate has been chosen to be a larger scale than the minimum-gate-length in the conventional Shockleypsilas square model. In this paper, we describe a 6-b 100 MSPS CMOS current steering digital-to-analog converter (DAC) with the alpha-power...
For several decades, the output from semiconductor manufacturers has been high volume products with process optimisation being continued throughout the lifetime of the product to ensure a satisfactory yield. However, product lifetimes are continually shrinking to keep pace with market demands. Furthermore there is an increase in dasiafoundrypsila business where product volumes are low; consequently...
This paper considers mechanical stress and strain in a piezoresistive cantilever sensor under surface stress loading, which is the loading condition that occurs in biochemical sensing applications. Finite element simulations examine the piezoresistor sensitivity due to changes in cantilever length, width, and thickness, and piezoresistor size, location, and depth. A few unexpected results are found...
A 53 dB gain limiting amplifier for OC-192 and 10 GbE applications is developed in a 50 GHz fT SiGe SOI complimentary bipolar process, and has 5 mV pk-pk sensitivity, 1.25 V pk-pk maximum input signal, 14 ps (20/80%) rise/fall times and 450 mV pk-pk output into matched differential 50 Ohm loads, consuming 430 mW on a 3.3 V supply. Input Cherry-Hooper gain stages limit the -3 dB bandwidth to 11 GHz...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.