Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
In this paper, we present high performance 0.25mum gate-length self-aligned AIGaN/GaN HEMTs on 6H-SiC substrates using a single ohmic step. Our recently developed Mo/Al/Mo/Au-based ohmic contact requiring annealing temperatures between annealing temperatures 500 and 600degC was utilized. Ohmic contact resistances between 0.3 - 0.5 ohm-mm have been achieved.
AIGaN/GaN high electron mobility transistors (HEMTs) are some of the most promising devices for power amplification. Important efforts have been taken to expand the operating frequency of these devices to mm-waves. As shown by Tasker et al., the drain parasitic resistance is one of the main factors limiting the current gain cut-off frequency (fT) and the power gain cut-off frequency (fmax) in high...
In this work we report AIGaN/GaN HEMTs with nonalloyed ohmic contacts by large angle ion implantation with a contact resistance to the channel of 0.2 Omegamm.
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.