Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
A single-sided modulation-doped 90 AA quantum well with Al/sub 0.45/Ga/sub 0.55/As barriers has been realised using metal-organic vapour-phase epitaxy with selenium doping. Hall effect measurements give a sheet carrier density n/sub s/=2.27*10/sup 12/ cm/sup -2/ and a mobility mu =6050 cm/sup 2/ V/sup -1/ s/sup -1/ at 300 K. At 4.2 K, Shubnikov-de Haas and quantum Hall effect measurements give n/sub...