Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
A study of designing FinFET-based SRAM cells using a compact model is reported. Parameters for a multi-gate FET compact model, BSIM-MG are extracted from fabricated n-type and p-type SOI FinFETs. Local mismatch in gate length and fin width is calibrated to electrical measurements of 378 FinFET SRAM cells. The cell design is re-optimized through Monte Carlo statistical simulations. Variation in readability,...
Vt variability in FinFET SRAM is evaluated for the first time by direct measurement of the cell transistors down to 25 nm gate length. By taking the V, mismatch between Pull-Down transistors (PD) or between PD & Pass Gate transistor (PG), the dependence of V, variability on the cell transistor layout and channel impurity concentration was clearly observed. Read / Write margins in FinFET SRAM cell...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.