Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
We investigate the impact of AlN buffer layers on metal gate work function (WF) of TiN metal inserted polysilicon stacks on silicon dioxide (SiO2) and high-k gadolinium silicate (GdSiO). Atomic layer deposition (ALD) technique is used to achieve atomic control of the buffer layer thickness. High WF of 5.2 eV suitable for p-MOSFETs are obtained by ALD AlN buffer layers and the principles of dipole...
An independent-gate four-terminal FinFET SRAM have been successfully fabricated for drastic leakage current reduction. The new SRAM is consisted of a four-terminal (4T-) FinFET which has a flexible Vth controllability. The 4T-FinFET with a TiN metal gate is fabricated by a newly developed gate separation etching process. By appropriately controlling the Vth of the 4T-FinFET, we have successfully demonstrated...
While the potential of FinFETs for large-scale integration (LSI) was demonstrated before on relaxed device dimensions, in this paper we present performance data of aggressively scaled transistors, ring oscillators and SRAM cells. FinFET SRAMs are shown to have excellent VDD scalability (SNM=185 mV at 0.6 V), enabling sub-32 nm low-voltage design.
Continuous scaling, necessary for enhanced performance and cost reduction, has pushed existing CMOS materials much closer to their intrinsic reliability limits, forcing reliability engineers to get a better understanding of circuit failure. This requires that designers will have to be very careful with phenomena such as high current densities or voltage overshoots. In addition to the reliability issues,...
Since the very beginning of the flash memory era, the market has been dominated by the floating gate technology. However, as floating gate flash continues along a very steep scaling path, more and more barriers start to appear, limiting further scaling possibilities of the technology. At the same time, other concepts are preparing to take over. This paper concentrates on the prospect of high-k materials...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.