Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
Planar Gunn diodes have been scaled vertically through combining multiple active epilayer stacks present in previously successful GaAs/AlGaAs devices. Comparison of results from fabricated devices with those simulated using a Monte Carlo approach suggest that while current and power output rises in such scaled designs, this is limited by significant heating which results in sub-linear scaling with...
This paper reports on a 40W high linearity InGaP/ GaAs 28V HBT. It uses a high breakdown voltage, high ruggedness HBT process developed by WJ. The device employs a dynamic bias circuit to improve ACLR under WCDMA modulation conditions. The P-1dB of the device reaches 46dBm (40W), with a gain around 14.5dB. With WCDMA one carrier modulation (PAR=8.5dBc), the device achieves an ACLR of −50dBC and an...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.