Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
Al2O3-TiO2 nanolaminates are very attractive candidates for future conductive passivation layers because they are purely based on dielectric materials, which allow a simple integration in the state-of-the-art manufacturing process. In this study, Al2O3-TiO2 double and multilayers are grown by atomic layer deposition and systematically investigated. The nanolaminates feature good silicon surface passivation...
Al2O3 based nanolaminates provide new functionalities for silicon surface passivation layers in future high-efficient cell concepts. This work presents two different applications: (I) Symmetrical passivation layers for application on p- and n-type Si are realized with thin HfO2 and Al-doped SiO2 interface layers between Al2O3 and Si. These stacks have excellent chemical passivation but zero fixed...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.