Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
In this work are discussed the technology for preparing and characterisation of indium-tin oxide (ITO) and ITO with titanium oxide underlayer thin films with properties appropriate for usage at elevated temperatures as heat reflective coatings and gas sensors. For preparing the samples the methods of radio frequency (RF) and DC-magnetron reactive sputtering were used. Sputtering of indium-tin and...
The influence of film structure on temperature characteristics of polysilicon nanofilms (PSNFs) was reported in this paper. Samples were deposited by LPCVD with different film thickness and deposition temperature. The microstructure of films was characterized by SEM, TEM and XRD. By measuring the resistivity and the gauge factor of samples at different temperatures, temperature coefficients of the...
We deposited ZnO thin Alms on single-crystal p-type Silicon <100> substrates by direct current (DC) magnetron sputtering method. The ZnO thin films deposited at room temperature by DC magnetron sputtering were annealed, when powers were 60, 90 and 120W, and temperature were 400, 500, 600 and 700 degC respectively. Analyzed microstructure of the ZnO thin films by X-ray diffraction (XRD).Observed...
The effect of plasma assistance during vacuum evaporation was investigated. Silicon films were deposited by e-beam evaporation on Bright Annealed AISI 304 stainless steel and on soda-lime glass substrates at 225/spl deg/C, under 2.28/spl times/10/sup -3/ mbar and e-beam power of 720 W. A low voltage arc was used as a plasma source for ion plating, with argon and argon/hydrogen atmosphere. Structural...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.