Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
This paper reports low temperature Cu-Cu thermocompression bonding with the help of self-assembled monolayer (SAM) desorption. SAM layer protects copper from oxidation. It should be desorbed just before bonding. The desorption was carried out using cyclic voltammetry in aqueous potassium hydroxide (KOH) solution. Contact angle measurements carried out before and after desorption indicates successful...
Success of 3-D ICs technology depends upon the reduction of Cu-Cu bonding temperature. Contamination and oxidation of Cu surface is major bottleneck of reduce the bonding temperature. In this study we investigated the passivation property of Self Assembly Monolayer (SAM) by using Alkyl thiol (Hexanethiol, six carbon chain, C6) on freshly deposited Copper surface and thereafter desorption of the monolayer...
We report on recent experimental studies performed as part of a 3D integrated circuit (3DIC) production-worthy process module roadmap check for 300 mm wafer-to-wafer (WtW) copper-to-copper thermocompression bonding and face-to-face (F2F) aligning. Specifically, we demonstrate submicron alignment capabilities (3sigma alignment variability ~ 1 μm) post Cu bonding on topography M1V1-to-M2 Cu wafers with...
This paper focuses on the effects of a vacuum ultraviolet (VUV) surface treatment process on the interconnections for flip chip and 3-D integration. Organic contaminants that hinder reliable bonding are broken down and eliminated from the bumps and pad surfaces by irradiation with UV light at a wavelength of 172 nm at room temperature. There is no charge buildup, no temperature increase, and no ion...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.