Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
A simple unified analytical compact drain current model for undoped (or lightly doped) triple-gate FinFETs is presented, functional for all regions of operation. A unified normalized sheet charge density is used where the behavior of the subthreshold region is embedded within the expressions commonly used to describe the inversion region. The model can be used as a basis for the development of a short-channel...
Current flow in FinFETs is strongly influenced by 3D effects. In this paper, based on 3D TCAD results the current path is analyzed from subthreshold to above threshold operation. A new method to extract the pinch-off point in saturation is presented. Furthermore, based on a 3D analytical model for the electrostatic potential at the barrier threshold conditions and subthreshold slopes at different...
The dramatic increase in leakage current, coupled with the swell in process variability in nano-scaled CMOS technologies, has become a major issue for future IC design. Moreover, due to the spread of leakage power values, leakage variability cannot be neglected anymore. In this work an accurate analytic estimation and modeling methodology has been developed for logic gates leakage under statistical...
This paper presents an analytical modeling of ballistic and quasi-ballistic transport, implemented in Verilog-A environment and used for circuit simulation. Our model is based on the Lundstrompsilas approach and uses an expression of the backscattering coefficient given by the flux method. The model takes also into account short channel effects and tales into account the effects of different scattering...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.