Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
This paper presents a 120-GHz-band low-noise amplifier (LNA) for a receiver microwave monolithic integrated circuit (MMIC), which is used for a 10-Gbit/s wireless link. The LNA was designed for low-noise performance, a high gain, and low group-delay variation. To achieve enough stability with low-noise performance and low group-delay variation, we introduce a new stabilizing circuit consisting of...
This paper describes efficient GaN/AlGaN HEMTs and MMICs for L/S-band (1-4 GHz) and X-band frequencies (8-12 GHz) on three-inch s.i. SiC substrates. Dual-stage MMICs in microstrip transmission-line technology yield a power-added efficiency of ??40% at 8.56 GHz for a power level of ??11 W. A single-stage MMIC yields a PAE of ??55% with 6 W of output power at VDS= 20 V. The related mobile communication...
This paper describes a balanced AlGaN/GaN HEMT single-stage power amplifier demonstrator for X-band frequencies in microstrip line technology on thinned s.i. SiC substrates. The design features a modular circuit concept and microstrip MMIC directional couplers with low impedance levels. These 3 dB-couplers designed for a center frequency of 10 GHz show a coupling factor of 3.5 dB plusmn 0.4 dB and...
AlGaN/GaN HEMT using field plate and recessed gate for X-band application was developed on SiC substrate. Internal matching circuits were designed to achieve high gain at 8 GHz for the developed device with single chip and four chips combining, respectively. The internally matched 5.52 mm single chip AlGaN/GaN HEMT exhibited 36.5 W CW output power with a power added efficiency (PAE) of 40.1% and power...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.