Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
We have probed the dopant activity of silicon B-doped by Gas Immersion Laser Doping (GILD). Here, we report on the comparison of optical, electrical and structural properties of Si:B, over a wide concentration range, up to 1.5×10 21 cm −3 by steps of 1.5×10 19 cm −3 . Data obtained by reflectance FTIR spectroscopy are used within a Drude model to extract concentration,...
Gas Immersion Laser Doping (GILD) of silicon with boron has shown excellent performances in terms of junction depth, box-like profile, dopant concentration and activation. The study of the GILD process is extended to boron and phosphorus doping of silicon on insulator (SOI) and of relaxed Ge films epitaxied on Si or on SOI. The sheet resistances of Si and Ge doped films are measured as a function...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.