Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
This article summarizes the capabilities of the optoelectronic simulation framework tdkp/AQUA aimed at the description of electroluminescence in semiconductor nanostructures such as light-emitting diodes (LEDs). tdkp is a standalone finite-element software able to accurately calculate strain, built-in fields due to spontaneous and piezoelectric polarization, quantum states, gain and luminescence spectra...
Optical properties of 530 nm strain-compensated InGaN/InGaN/ZnO quantum well (QW) light-emitting diodes (LEDs) using a ZnO substrate are investigated using the multiband effective mass theory. These results are compared with those of conventional InGaN/GaN QW LEDs using a GaN substrate. A strain-compensated QW structure is found to have much larger spontaneous emission than a InGaN/GaN QW structure...
Semiconductor quantum well structures based on InGaN/GaN materials are characterized by the piezoelectric and spontaneous polarizations. At high level of excitations, fields caused by the polarizations are screened by carriers confined in quantum wells. In our work, we consider additional effect in multiple-quantum wells caused by Coulomb interactions of carriers positioned in neighboring quantum...
Electronic and optical properties of non-polar (112 macr0) a-(phi=0), (101macr0) m-plane (phi=pi/6), and (1122 macr)-oriented wurtzite (WZ) InGaN/GaN quantum well (QW) structures are investigated using the multiband effective-mass theory. These results are compared with those of (0001)-oriented WZ InGaN/GaN QW structures. The internal field becomes zero for (1122 macr) crystal orientation near the...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.