Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
This paper focuses on a new realization method of an Emitter Turn-off Thyristor (ETO). The unity gain turn-off capability of the Gate Commutated Thyristor (GCT) requires extremely low parasitic components within the gate path. The concept of the ETO postulates a MOSFET in the cathode current path of the thyristor, which causes several problems. A new approach leading to a significant smaller and less...
A MOSFET driver exhibits a destructive single-event effect, after which testing done on the device excludes single-event latch-up as the mechanism but suggests single-event burnout (SEB). SEB is normally not seen in device with such low voltages. The design that optimizes high current density and a fast slew of the part may contribute to the sensitivity of the device to SEB.
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.