Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
SEU is studied in a 90 nm SRAM cell with different simulation approaches. The SRAM cell main SEU parameters (maximum current peak, collected charge, threshold LET) are extracted and compared. It is shown that the simulation conditions have a direct impact on the cell behavior and so on the SEU prediction. Moreover, not accounting for voltage variations induced by the particle generation in the circuit...
A CMOS voltage reference using compensation of mobility and threshold voltage temperature effects is proposed. In this reference, the nested connection of two NMOS transistors supplies a voltage with positive temperature coefficient, and the diode-connected NMOS transistor supplies a voltage with negative temperature coefficient. These two circuits are connected in series via an operational amplifier,...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.