Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
In this letter, we show that manipulation of the surface chemical bonds is possible by making use of the distinctly different thermodynamic pathways of the various surface species. The dissociation temperatures of Ge-O, Ge-N, Si-O and Si-N bonds are found to be respectively about 360°C, 490°C, 740°C and > 1000°C. These vastly different dissociation temperatures enable one to manipulate the surface...
During thermal nitridation of the Si(100) surface, nitride regions grow laterally on the surface. Already at small coverages they have nearly the thickness which is found for the closed film. This thickness depends on the annealing temperature and is 10 for 800 K and 15 for 1200 K. The coordination of the silicon atoms with nitrogen atoms is determined by the heating temperature. At 800 K only...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.