Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
ZnO nanowires were grown by catalyst-free metal-organic vapour-phase epitaxy on top of a p-type GaN buffer. The optical properties of the ZnO nanowires were investigated by temperature-dependent and time-resolved photoluminescence and compared to those of ZnO nanowires directly grown on sapphire. The luminescence intensity decrease with temperature of the nanowires grown on GaN reveals an original...
InGaN/GaN multiple quantum well (MQW) structures were grown by MOCVD. A strain-relief underlying layer was employed to reduce the strain in the InGaN well layers arising from the large lattice mismatch between InN and GaN. Samples were investigated by photoluminescence (PL), electroluminescence (EL) and atom force microscopy (AFM) to characterize their optical and morphological properties. By inserting...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.