Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
The problem of tin (Sn) whiskers has been a significant reliability issue in electronics for the past several decades. Despite the large amount of research conducted on this issue, the growth of whiskers remains a challenge for the research community. A comparative study of different metal whiskers could provide a deeper insight toward the development of more permanent mitigation strategies for Sn...
The work presented here shows the effect of annealing temperature on CuI thin films. The 0.05 mol of CuI solution is prepared at room temperature and then deposited in silicon and glass substrate. The CuI thin films were deposited using sol-gel spin coating method. The electrical, optical properties and surface morphology was characterized by current-voltage (I-V) measurement, ultraviolet-visible...
Chalcopyrites are important contenders among solar cell technologies due to their direct band gaps and high absorption coefficients. Copper indium gallium sulfide, CuIn1-xGaxS2 (CIGS2) thin films have been grown by sulfurization with copper rich compositions. However, the desired free carrier concentration range of 1016-1017/cm3 can be achieved fairly easily with copper deficient compositions avoiding...
CuInS2 thin films have been prepared by one-step DC reactive sputtering process. Full characterizations have been carried out by EDS, XRD, SEM, optical transmittance and electrical measurement. XRD and SEM analysis of the films show that the crystallinity and morphology could be improved by altering the composition of the films to stoichiometric. The band gaps of samples with different Cu/In ratio...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.