Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
Resonant tunneling diodes (RTD) are widely used in nano electronics due to their nonlinear properties. In this work, Metal-Insulator-Insulator-Insulator-Semiconductor (MIIIS) devices were fabricated using a gate stack of atomic-layer deposited (ALD) high-k oxides and experimental proof of Resonant Tunneling was obtained due to three Negative Differential Resistance (NDR) zones.
In this letter, a vertical GaN p-n junction diode with high-K/low-K compound dielectric structure (GaN CD-VGD) is proposed. The high-K/low-K compound dielectric structure consists of a layer of high dielectric constant and multilayer dielectric layers which have a lower dielectric constant, and these compound dielectric layers formed along the current flow direction. Compared with a conventional p-n...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.