Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
The first results obtained with the use of Ga_{2}S_{3} and Ga_{2}Se_{3} compounds as sources of donor elements for molecular beam epitaxy of Al_{x}Ga_{1-x}Sb (0 ≤ x ≤ 1) and Al_{x}Ga_{1-x}As (0 ≤ x ≤ 0.4) are reported. In GaAs free electron concentrations obtained when incorporating the donors from these sources can be easily controlled in the range of three orders of magnitude. For Al_{x}Ga_{1-x}Sb...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.