Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
The hot-carrier-induced degradation for the n-type lateral DMOS (nLDMOS) with floating p-top layer has been experimentally investigated for the first time. Our experiments show that the degradation of the linear drain current (Idlin) has a strange shift at the beginning of the stress. The studies demonstrate that the strange shift comes from the unexpected depletion of the p-top layer. Moreover, it...
Interface traps generated during device operation or stress is directly related to transistor electrical characteristics and reliability as well as critical to device performance. In this paper, an interface-trap model is included in the unified compact model (Xsim) in order to physically and accurately characterize the interface-trap behavior in silicon-nanowire (SiNW) MOSFETs. The interface-trap...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.