Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
We report the growth of cubic GaN/AlN multi quantum well (MQW) structures by plasma‐assisted molecular beam epitaxy on 10 μm thick 3C‐SiC on top of 300 μm silicon. The samples consist of 115 nm thick GaN buffer and 20 periods of GaN/AlN active regions. The thickness of the AlN barrier is 1.48 nm for all samples, while the thickness of the GaN quantum wells varies between 1.36 nm‐2.94 nm. The growth...
We have investigated the heteroepitaxial growth of indium nitride on sapphire substrates having different orientations. Growths were performed on C‐, A‐, M‐, and R‐plane‐oriented sapphire in order to analyze the substrate orientation effect on the structural, optical, and electronic properties of InN. The orientation relationship between InN and sapphire was deduced by θ/2θ High‐resolution X‐ray diffraction...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.