Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
A 60 GHz power amplifier (PA) is designed in a 45 nm digital CMOS technology with inductive ESD protection at both RF input and output, and with standard foundry ESD protection for the power pads. Next to state-of-the-art RF performance, a record ESD performance of 5.3 kV HBM and >8.5 A VFTLP is measured, complying with CDM class C4.
Charged device model (CDM) electrostatic discharge (ESD) stress is a major concern for inductor-based ESD protection strategies for RF circuits processed in advanced nano-CMOS technologies. The CDM robustness of such protection methodology is investigated in this paper based on very-fast transmission line pulse (VFTLP) measurements. Its applicability is discussed for future technologies and RF applications.
A 5.5 GHz LNA implemented in 90 nm RF CMOS process is protected against ESD stress using Above-IC inductors implemented as `Plug and Play', which have very high Q values (40 for 3 nH) compared to BEOL inductors (7 for 3 nH in 5 LM). The RF pin of this LNA withstands an ESD stress above 6 kV HBM and 1 kV MM, the highest ESD robustness value reported ever in a similar circuit. The LNA features a 16...
Design and implementation of ESD protection for a 5.5 GHz Low Noise Amplifier (LNA) fabricated in a 90 nm RF CMOS technology is presented. An on-chip inductor, added as ldquoplug-and-playrdquo, is used as ESD protection for the RF pins. The consequences of design and process, as well as the limited freedom on the ESD protection implementation for all pins to be protected are presented in detail and...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.