Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
c-axis oriented GaN nanowires (NWs) grown on Si(111) using nitrogen plasma assisted molecular beam epitaxy (MBE) offer promising new approaches for realizing efficient LED technology. The nanowires grow remarkably free of defects, suggesting that eventual LED structures may operate with high quantum efficiencies. Furthermore, the dense NW morphology offers LED configurations with high light extraction...
In this report, we show experimental results on the growth and characterization of InP nanowires (NWs) grown on silicon and SrTiO3 substrates by solid source molecular beam epitaxy (SSMBE) using Au-assisted catalytic growth. Our objective is to study the effect of a thin crystalline oxide template on the nucleation and growth orientation of the InP NWs. Various growth parameters such as growth temperature...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.