Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
A 2.4GHz power amplifier (PA) for Wireless-LAN application is designed and implemented in 0.18μm SiGe BiCMOS technology. Without any off-chip component or band wire for matching, the proposed power amplifier is fully integrated, which has a two-stage structure with temperature-insensitive biasing circuit to improve the linearity with almost no increase in die area. S parameter simulation results show...
A 5GHz balanced fully integrated Power Amplifier (PA) on a single chip has been designed in a 0.18 μm SiGe BiCMOS technology. An analysis show that the process featured by 60GHz characteristic frequency can largely improve power output performance, and the differential topology optimized linearity, power added efficiency (PAE) and large signal performance. At 5.5GHz frequency, with 3.3V voltage supply,...
A compact RF front-end module (FEM) for Wireless LAN (WLAN) application was proposed by merging DC supply voltage lines. The proposed module had one DC supply voltage line and one external shunt capacitor. This paper approached the aspect of isolation among DC supply voltage signal lines instead of using RF chokes or external shunt capacitors. Three types of module were designed and fabricated to...
This paper presents a SiGe BiCMOS transmitter for large bandwidth Polar Modulation and PWM signals. For flexibility, the transmitter presented in the paper has an externally controllable class of operation. Fabricated in a SiGe BiCMOS process (QUBIC4G), the measured saturated output power of the transmitter is 27 dBm and the measured PAE is 62%. It features an IMD3 of -30 dBc up to 25 dBm peak envelope...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.