Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
We investigated the optical and electrical properties of amorphous InZnO (IZO) as a potential replacement of Al-doped ZnO (AZO) conducting window layer for CuInGaSe2 (CIGS) solar cells. The device performance of CIGS devices with IZO of different thickness and sheet resistance was compared with that of CIGS standard devices with AZO. The results show that the optical and electrical properties of IZO...
Thin film ZnO/Si heterojunction solar cells were explored for their potentially low cost application. Microcrystalline silicon (??c-Si) deposited by metal induced growth (MIG) demonstrated viable photo response as a thin film base layer. Modeling using AMPS-1D was performed on various heterostructures. In thin film devices, Interface defects of 8.8??1011 1/cm2-eV were shown to significantly reduce...
(001)-textured AlN thin films as needed for longitudinal bulk acoustic wave (BAW) devices exhibit large mechanical stress variations and large orientation variation as a function of growth substrate properties. We prepared thin silicon and silicon dioxide layers by sputter deposition to increase the roughness of thermal oxide films. The amorphous silicon films exhibited an rms roughness of 0.1 to...
A thin films of crystalline Silicon Carbide (c-SiC) and amorphous Silicon Carbide (a-Si1-xCx) were grown onto p-type Si substrate by using a hot target p-type polycrystalline 6H-SiC target by both methods: Pulsed Laser Deposition (PLD) with KrF excimer laser and sputtering DC magnetron with a mixture of gas Ar:H2, respectively. The target ldquo6H-SiCrdquo used to elaborate the thin films, is realized...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.