Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
As CMOS technology continues to downscale to a deep submicron level (40 nm and beyond), Soft Oxide Breakdown (SBD) is becoming a real problem that could lead to a serious degradation in the performances and the functional operations of SoC. In this paper we study the SBD, using two models, and quantify its impact on the functionality of a 40 nm SRAM memory.
A low-voltage high-speed bulk-CMOS SRAM that operates over 100MHz at 0.5V, for the first time, is proposed. A novel 8-transistor (8T) memory cell with a complementary read port (C-RP) improves the read speed by enabling differential bit-line sensing, while the conventional 8T SRAM drives the bit line with a single read port (S-RP). The cell layout of the C-RP SRAM has point symmetry and a small area...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.