Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
Group IV elements and their alloys show poor light emission due to their indirect gap. Application of tensile strain in Ge lowers the ?? valley below the L valleys in bulk as well as in Ge nanowires. We present also our results on direct gap type I alignment showing direct gap at ~ 0.8 eV in Si1-p-qGep Cq (C <4%) active layers with Ge1-x-ySixSny as the barrier. We have chosen a composition to give...
Application of tensile strain in Ge lowers the G valley below the L valleys but the direct gap is reduced from the value in unstrained Ge. We considered Ge1-qCq (C <4%) active layers with Ge1-x-ySixSny as the barrier and estimated the range of compositions in the active and barrier layers to yield direct gap (~0.8 eV) type I alignment by using model solid theory. We have chosen a composition to...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.