Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
Low frequency noise (LFN) is a reliable diagnostic tool to evaluate and locate the defects of a technology. In this study, LFN is used to assess effects of deuterium (H+ ions) in diffusion condition on the robustness of 0.25 *2*75 mum2 gate area AlGaN/GaN high electron mobility transistors (HEMT) grown on Si substrate. H+ ions are diffused from the above AlGaN/GaN layer through the AlGaN/GaN interface...
This paper shows the capability of AlGaN/GaN high electron mobility transistors (HEMTs) on (001) oriented silicon substrate with 300 nm gate length using unstuck Gamma gate for low cost device microwave power applications. The total gate periphery of 300 mum, exhibits a maximum DC drain current density of 600 mA/mm at VDS=7V with an extrinsic transconductance (gmmax) around 200 mS/mm. An extrinsic...
This paper describes efficient GaN/AlGaN HEMTs and MMICs for L/S-band (1-4 GHz) and X-band frequencies (8-12 GHz) on three-inch s.i. SiC substrates. Dual-stage MMICs in microstrip transmission-line technology yield a power-added efficiency of ??40% at 8.56 GHz for a power level of ??11 W. A single-stage MMIC yields a PAE of ??55% with 6 W of output power at VDS= 20 V. The related mobile communication...
AlGaN/GaN HEMT using field plate and recessed gate for X-band application was developed on SiC substrate. Internal matching circuits were designed to achieve high gain at 8 GHz for the developed device with single chip and four chips combining, respectively. The internally matched 5.52 mm single chip AlGaN/GaN HEMT exhibited 36.5 W CW output power with a power added efficiency (PAE) of 40.1% and power...
Two-dimensional transient analyses of AlGaN/GaN HEMTs and GaN MESFETs are performed in which a deep donor and a deep acceptor are considered in a semi-insulating buffer layer. Quasi-pulsed I-V curves are derived from the transient characteristics. It is studied how the existence of field plate affects buffer-related lag phenomena and current collapse. It is shown that in both FETs, the lag phenomena...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.