Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
This paper presents a hybrid switch that parallels a power MOSFET and an IGBT as the main switch of a zero-voltage switching inverter. The combination features the MOSFET conducting in the low current region and the IGBT conducting in the high current region, and the soft switching avoids the reverse recovery problem during the device turn-on. A custom hybrid switch module has been developed for a...
The 5×4.2 mm2 chip of the SiC DIMOSFET was fabricated and tested. The drain-source avalanche breakdown voltage without any gate bias (Vgs=0V) is measured to be >1000V. The drain current (Id) >40A is observe under the conditions of Vds=1V and Vgs=+20V. Typical Ron and specific Ron are measured to be 22 mΩ and 3.5 mΩcm2 with Vth=2.3V. The SiC DIMOSFET is introduced into the PE circuits of the...
As mainstream processing technology advances into 65 nm and beyond, many factors that were previously considered secondary or insignificant, can now have an impact on chip timing. One of these factor is inversed temperature dependence (ITD). As supply voltage continues scaling into sub-IV territory, delay-temperature relationship can be reversed on some cells, meaning that device switching time may...
In deep submicron era, to prevent larger amount of SRAM from more frequently encountered overheating problems and react accordingly for each possible hotspots, multiple ideal run-time temperature sensors must be closely located and response rapidly to secure system reliability while maintaining core frequency. This paper presented a method to extract run-time temperature information from multiple...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.