Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
Temperature and length scaling dependence of double gate tunnel FET has been analyzed considering the electric field of junction depletion region. In the ballistic limit Id has been found to be dominated by effective mass and insulator dielectric constant rather than bandgap. Hence, GaAs channel TFET has identified as higher current device than Si counterpart due to lower effective mass. However,...
Vertical In0.7Ga0.3As tunneling field-effect transistors are demonstrated with a high on-current of 50 μA / μm (in comparison to reported values) and a minimum subthreshold swing (SS) of 86 mV/dec using atomic-layer-deposited HfO2 gate oxide. The tunneling diodes exhibit the gate-bias-dependent Esaki diode behavior with a negative differential resistance under the forward diode bias at various temperatures,...
Due to their extremely high electron mobility (mu), III-V materials are being investigated as channel materials for high performance NMOS. Although their small transport mass leads to high injection velocity (vinj), they have a low density of states (DOS) in the Gamma-valley, tending to reduce the inversion charge (Qinv) and hence reduce drive current. Furthermore, the direct band gaps of III-V materials...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.