Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
In this paper, we report a two-way sequential power amplifier (SPA) using GaN HEMTs. The proposed fully analog SPA delivers Psat of approximately 40dBm over 2–3 GHz covering 40% fractional bandwidth. The design consists of a 3dB input coupler, a main amplifier, a peak amplifier, and a 10dB output coupler for power combining. After proper designing and optimizing these critical wideband couplers in...
This article presents the winning power amplifier implemented with a gallium nitride (GaN) high electron mobility transistor (HEMT) and having power-added efficiency (PAE) greater than 85%. It will be shown that computer-aided design (CAD) simulation tools, accurate device models, and sensible design rules can produce first-pass power amplifier design success. An overview of design, fabrication, and...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.