Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
We measured drain bias stress effects and current collapse in AlGaN/ GaN heterostructure field‐effect transistors (HFETs) on a‐plane and c‐plane GaN substrates. An a‐plane AlGaN/GaN HFET (a‐HFET) shows small current collapse with a threshold voltage (Vth = ‐1.8 V). On the other hand, a c‐plane HFET (c‐HFET) with the same barrier thickness (20 nm) shows a small current collapse, although Vth was negatively...
A high‐performance InAlN/GaN heterojunction field effect transistor with a nominal gate length of 0.25 μm was fabricated on a sapphire substrate. Low defect density and low sheet resistance were obtained for the heterostructure under tests. The fabricated device exhibited a negligible current collapse, and remarkable RF characteristics, i.e. a maximum output power density of 4.69 W/mm at 10 GHz, a...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.