Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
We report the influence of {111} stacking faults on the cathodoluminescence (CL) emission characteristics of cubic GaN (c‐GaN) films and cubic GaN/AlN multi‐quantum wells. Transmission electron microscopy (TEM) measurements indicate that stacking faults (SFs) on the {111} planes are the predominant crystallographic defects in epitaxial films, which were grown on 3C‐SiC/Si (001) substrates by plasma‐assisted...
We investigate the formation of cubic GaN quantum dots (QDs) on pseudomorphic strained cubic AlN layers on 3C‐SiC (001) substrates grown by means of molecular beam epitaxy. Surface morphologies of various QD sizes and densities were obtained from uncapped samples by atomic force microscopy. These results were correlated with similar but capped samples by photoluminescence experiments. The QD density...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.