Résumé
Dans cet article, un circuit équivalent fiable pour les transistors à haute mobilité électronique (hemt) est propose. Grâce à ce nouveau circuit équivalent, on peut déterminer les paramètres S et les paramètres de bruit en ondes millimétriques à partir de caractérisations effectuées en dessous de 40 GHz. Ce modèle ne nécessite que la connaissance de trois éléments extrinsèques au lieu de huit au minimum dans le cas du schéma équivalent classique, et la validité d’un tel modèle par des confrontations avec des mesures de paramètres S et de facteurs de bruit jusqu’à la bande W (75-110 GHz) est démontrée.