Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
With conventional Si-CMOS scaling approaching its fundamental limits and new materials such as III–V channel devices emerging, III–V/Si co-integrated technology has entered a pre-paradigm age for future heterogeneous integrated circuits and systems. Such an emerging technology platform opens new opportunities for innovative circuit designs in CMOS+X combinations where “X” can be, e.g., GaN/InGaAs...
In this work, a high performance AlGaN/GaN power diode featuring MIS-gated hybrid anode (MG-HAD) with ultralow forward turn-on voltage (VT) and low reverse leakage current was experimentally demonstrated. By accurately designing the recessing depth in the MIS-gate region, a record low VT of 0.2 V for GaN power diode was obtained in the MG-HAD with 4-nm recessed-barrier-thickness. Meanwhile, the device...
Capacitance-voltage (C-V) characteristics have been measured in this paper to calculate the depth profiles of GaN carrier concentration in four different structure GaN-based HEMTs, revealing the consequences of Al2O3 oxide layer and etching depth on two-dimensional electron gas (2DEG) sheet density. Combining the energy band diagrams with the theoretical calculation formula of 2DEG, we analyzed corresponding...
GaN-based vertical field effect transistors (VFETs) are very promising in various power switching applications owing to their high current density and small chip size. However, it is still challenging to obtain high breakdown voltage (BV) and low on-resistance (Ron) in the practical VFETs. Design and simulation of the device structures are necessary in shortening the device development progress. In...
For the special breakdown mechanism of AlGaN/GaN HEMTs devices, a novel AlGaN/GaN HEMTs with the partial fixed positive charge in buffer layer is proposed in this paper. Through the introduction of the partial fixed positive charge in buffer layer, 2DEG in the area is depleted, then the low 2DEG density region is formed, which modulate the concentration of 2DEG and the surface electric field distribution...
Stable normally-off operation with high threshold voltage (Vth) is strongly desired in power switching applications. A p-GaN area under the barrier-recessed gate is employed to improve the Vth and off-state characteristics of the GaN-based HEMTs. TCAD-based device simulations are carried out to demonstrate and optimize the proposed structures. Finally, improved performances with Vth over 5V and breakdown...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.