Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
Direct detection mm/sub-mm wave warm-carrier bipolar narrow-gap Hg1−xCdxTe semiconductor bolometers that can be used as sensitive elements in THz sensitive arrays, are considered. The response of Hg1−xCdxTe warm-electron bolometer was measured in ν=0.037−1.54 THz frequency range at T=68-300 K. In the detector (bolometer) considered the electromagnetic wave heats electrons and holes there, creates...
Energy spectra, electron mobilities, resistances and noises in the semi-metallic n-type Hg0.32Cd0.68Te/Hg1−xCdxTe quantum well at T = 77 K are numerically modeled in this work. The modeling is provided on the basis of direct iterative solution of Boltzmann transport equation and accounts bands mixing, non-parabolicity of dispersion law, proper screening in 2DEG and inelasticity of electron scattering...
A model including effects of distributed gate in High Electron Mobility Transistors (HEMTs) is presented. An expression for equivalent gate impedance is derived for general structure described by [Z] matrix, therefore it can be applied to any structure that has similar distributed nature.
We present a simple small-signal parameterized equivalent circuit for HgCdTe photodetectors operating at high temperatures in the middle and long wavelength of the infrared spectrum. This circuit is capable of accurate modeling the impedance of these devices upon bandwidth of several GHz and for a wide range of bias voltage and temperatures. We have implemented this model as a parameterized sub-circuit...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.