Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
We investigated the use of the thermal shrinkage of SU-8 resist for applying strain into graphene grown by the chemical-vapor-deposition (CVD) method. We demonstrate that the shrinkage of resist deposited on top of graphene on a substrate induces a local tensile strain within a distance of 1–2 µm from the edge of the resist. The thermal shrinkage of SU-8 allows us to design the local strain in graphene...
As the diameter of semimetal nanowires decreases semimetal to semiconductor transition occurs as a consequence of quantum confinement. This enables the use of bandgap engineering to form a field-effect transistor near atomic dimensions and eliminates the need for doping in the transistor's source, channel, or drain for sub-5 nm transistors. The use of strain as a ‘technology booster’ in transistor...
In this paper we explore the benefit of combining High Resolution X-Ray Reciprocal Space Mapping (HR-RSM) and Dark-Field Electron Holography (DFEH) techniques for strain characterization of thin pMOS-like structures. We are able to simulate the measured HR-RSM from the displacement field extracted by DFEH. This is a first step developing High Resolution X-Ray Diffraction (HRXRD) as a viable technique...
This work experimentally probes and demonstrates the piezoelectric properties of single-atomic-layer MoS2. MoS2 devices were fabricated on a thin amorphous fused silica substrate, which was bonded to the high-stress location of a tuning fork to maximize the strain and resulting piezoelectric output. The dynamic strain was simultaneously measured in-situ with a commercial semiconductor strain gauge...
Realizing a germanium (Ge)-based monolithic light source requires high n-type doping, tensile strain, and an optical cavity. Here, we demonstrate the application of spin-on doping technique, and the use of free-standing structures to induce tensile strain on Ge micro-disks, which act as a simple micro-cavity.
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.