Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
Abstract MoON has been reported to be a good PMOS candidate. In this paper, we report tuning of the MoON PMOS metal towards Si conduction band-edge with Vtau as low as 0.35V for SiON capped with DyO, using a standard high temperature gate first process flow. Consistent shifts of 450 mV in VFB and Vtau are observed by capping SiON with DyO for MoON gate. Gate leakage as low as 10-7 A/cm2 at 17.6A EOT...
Low Vth HfSiON/TaSiN gate first stacks have been demonstrated, using atomic-layer-deposition (ALD) La2O3 cap layers, for half-pitch (hp) 32 nm-node metal gated bulk devices. By employing a very slow ALD-La2O3 growth rate (0.036 nm/cycle) within 30 cycles, the smallest equivalent oxide thickness (EOT< 0.7 nm) can be achieved with high electron carrier mobility and excellent Vth control (Vth<...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.